RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R7416G2400U2S 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сравнить
AMD R7416G2400U2S 16GB против Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
-->
Средняя оценка
AMD R7416G2400U2S 16GB
Средняя оценка
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AMD R7416G2400U2S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
25
Около 12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
AMD R7416G2400U2S 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
25
Скорость чтения, Гб/сек
18.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
14.6
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3260
2786
AMD R7416G2400U2S 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R7416G2400U2S 16GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-DI 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link