Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB против Kingston X74R9W-MIE 8GB

-->

Средняя оценка

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Средняя оценка

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 18.5

Среднее значение в тестах

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Причины выбрать
Kingston X74R9W-MIE 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

23 54

Около -135% меньшая задержка
Выше скорость записи

15.0 1,131.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 4200

Около 5.07 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Kingston X74R9W-MIE 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 23
Скорость чтения, Гб/сек

2,710.2 18.5
Скорость записи, Гб/сек

1,131.7 15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

4200 21300

Other

Описание

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

399 3136

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

Kingston 9905712-001.B00G 16GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB

Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB

модули RAM