Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

-->

Средняя оценка

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Средняя оценка

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 71

Около 63% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.4 6.8

Среднее значение в тестах

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Причины выбрать
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.3 13.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 10600

Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Micron Technology AFLD44EK2P 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 71
Скорость чтения, Гб/сек

13.4 15.3
Скорость записи, Гб/сек

8.4 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 19200

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2050 1767

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

AMD R948G2806U2S 8GB

AMD R948G2806U2S 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB

модули RAM

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

Kingston 9905625-139.A00G 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB

Apacer Technology 78.01GA0.9L5 1GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB

модули RAM