RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сравнить
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
56
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.1
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
56
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.1
Скорость записи, Гб/сек
8.4
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2050
2455
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9L1 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link