Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

-->

Средняя оценка

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Средняя оценка

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

19200 17000

Около 1.13% выше полоса пропускания

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 47

Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.9 11.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.2 9.2

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 31
Скорость чтения, Гб/сек

11.8 16.9
Скорость записи, Гб/сек

9.2 15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

19200 17000

Other

Описание

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2323 3650

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB

Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB

Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB

модули RAM

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB

Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

модули RAM