RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
47
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
17.1
Скорость записи, Гб/сек
9.2
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
2806
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link