RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
47
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
9.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
23
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
20.4
Скорость записи, Гб/сек
9.2
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3810
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link