RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
47
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
9.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
18
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
20.5
Скорость записи, Гб/сек
9.2
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2323
3564
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link