RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2971
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link