ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Сообщить об ошибке

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 26

Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.8 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 24
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 15.8
Скорость записи, Гб/сек

9.5 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2174 2971

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

Kingston 9905678-024.A00G 4GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905703-011.A00G 16GB

Kingston 9905703-011.A00G 16GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB

модули RAM