RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2460
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link