RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1847
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link