ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 34

Около 24% меньшая задержка

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

Причины выбрать
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

20.9 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 9.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 34
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 20.9
Скорость записи, Гб/сек

9.5 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2174 3343

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB

модули RAM