RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3063
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link