RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3404
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link