RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2481
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9P1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G3D1609DS1S00 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link