RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.1
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2569
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link