ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 166

Около 84% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.5 8.1

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.7 12.6

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 166
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 14.7
Скорость записи, Гб/сек

9.5 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2174 1107

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

Kingston KDK8NX-MIE 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB

Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB

модули RAM