RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
26
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2839
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-H9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link