RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.7
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3327
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link