RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около 13% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
20.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
16.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3844
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link