RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
52
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
52
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
10.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2169
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link