RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 37
    Около 30% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.6 left arrow 10.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.5 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 12800
    Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.6 left arrow 10.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.5 left arrow 7.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2174 left arrow 2213

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB Сравнения RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
модули RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
модули RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
модули RAM
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
модули RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
модули RAM
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
модули RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
модули RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
модули RAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
модули RAM