RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
29
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
13.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2419
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link