RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
9.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1546
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link