RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2560
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451U6BFR8C
Kingston KF552C40-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link