RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2609
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link