RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
33
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2876
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link