RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
36
Около 28% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.8
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2497
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600D364L11/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link