RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
45
Около 42% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
45
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
2925
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link