RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
26
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
17.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
3033
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link