RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
73
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1843
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link