RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
73
Около 64% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
15.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2174
1843
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-Y5 1GB
SK Hynix HYMP112S64CR6-S6 1GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link