ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB против Kingston KVR533D2N4 512MB

-->

Средняя оценка

ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB

ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB

Средняя оценка

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB

Причины выбрать
ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

65 75

Около 13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

2 1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

6400 4200

Около 1.52% выше полоса пропускания

Kingston KVR533D2N4 512MB

Причины выбрать
Kingston KVR533D2N4 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

1,672.1 1,429.0

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR2
Задержка в PassMark, нс

65 75
Скорость чтения, Гб/сек

2,341.9 1,943.5
Скорость записи, Гб/сек

1,429.0 1,672.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 4200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 4-4-4-12 / 533 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

371 301

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

Maxsun MSD44G24Q3 4GB

модули RAM

ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB

ASint Technology SSZ2128M8-JGE1F 2GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BCF0-DJ-F 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB

модули RAM

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Kingston XJ69DF-HYA 8GB

Kingston XJ69DF-HYA 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

Kingston 9965669-009.A00G 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

Kingston 9905713-035.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

A-DATA Technology DDR2 800G 2GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB

модули RAM