Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

-->

Средняя оценка

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Средняя оценка

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 28

Около 4% меньшая задержка

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.1 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.5 6.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 28
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 18.1
Скорость записи, Гб/сек

6.7 15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2045 3706

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-TF 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB

модули RAM

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB

Kingston 9965669-025.A00G 8GB

Kingston 9965669-025.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB

Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB

модули RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB

Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB

модули RAM