RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
29
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.6
Скорость записи, Гб/сек
6.7
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3687
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link