RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
17.9
Скорость записи, Гб/сек
6.7
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
3460
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link