RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около 58% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.0
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
65
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.2
Скорость записи, Гб/сек
6.7
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
1824
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link