RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.2
Скорость записи, Гб/сек
6.7
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2917
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link