RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
6.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
6.7
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2045
2575
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Сравнения RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link