RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сравнить
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
54
Около -116% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.7
1,973.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,967.4
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,973.5
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
776
3845
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link