RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сравнить
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB против Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Средняя оценка
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
54
95
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
1,973.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
95
Скорость чтения, Гб/сек
4,967.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,973.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
776
1518
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB Сравнения RAM
Kingston KHX6400D2LL/1GN 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology C 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link