RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сравнить
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB против Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около 57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
12.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
20
46
Скорость чтения, Гб/сек
19.1
16.0
Скорость записи, Гб/сек
13.1
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3252
2660
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Сравнения RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-4GBSQ 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link