Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB против Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Средняя оценка

Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB

Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Причины выбрать
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.6 16.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.9 12.8

Среднее значение в тестах

Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB

Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

21 25

Около -19% меньшая задержка
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB

Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

25 21
Скорость чтения, Гб/сек

18.6 16.4
Скорость записи, Гб/сек

12.9 12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 12800

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

3236 3108

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB

Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB

модули RAM

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB

модули RAM