RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
10
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
41
Около -37% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.0
Скорость записи, Гб/сек
8.5
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2385
2234
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB Сравнения RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link