Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

-->

Средняя оценка

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Средняя оценка

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Сообщить об ошибке

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 38

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17 14.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

13.5 8.7

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 24
Скорость чтения, Гб/сек

14.1 17.0
Скорость записи, Гб/сек

8.7 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2228 2703

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB

Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB

Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Kingston 9905678-023.A00G 8GB

Kingston 9905678-023.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB

модули RAM