RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.1
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.4
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.1
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.7
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2228
2354
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Mushkin 996902 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link