Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB против Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Средняя оценка

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Причины выбрать
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 37

Около 24% меньшая задержка

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Причины выбрать
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.5 12.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.5 8.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

28 37
Скорость чтения, Гб/сек

12.6 13.5
Скорость записи, Гб/сек

8.3 8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 9 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2112 2026

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Kingston 9965640-004.C00G 16GB

Kingston 9965640-004.C00G 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB

A-DATA Technology DDR4 2800 8GB

A-DATA Technology DDR4 2800 8GB

модули RAM