Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Средняя оценка

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Причины выбрать
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Сообщить об ошибке

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

20 38

Около -90% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.7 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.5 9.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

38 20
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 19.7
Скорость записи, Гб/сек

9.1 15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2099 3404

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston 9905678-139.A00G 8GB

Kingston 9905678-139.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB

Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB

модули RAM

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

Kingston KTP9W1-MIE 16GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston 9905702-014.A00G 8GB

Kingston 9905702-014.A00G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB

модули RAM