RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сравнить
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
41
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
41
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
8.9
Скорость записи, Гб/сек
8.1
7.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2307
2126
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Сравнения RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N-TF 32GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link