RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сравнить
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB против Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2307
3007
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB Сравнения RAM
Corsair CMV4GX3M1A1600C11 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link