RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сравнить
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB против Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
-->
Средняя оценка
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Средняя оценка
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
54
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
9.1
8.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
54
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
10.9
Скорость записи, Гб/сек
8.7
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2106
2176
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB Сравнения RAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Corsair CMX4GX3M2B1600C9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link